在我们授权的第三代半导体代工和封装厂中,提供了碳化硅MOSFET的全套解决方案,其反向直流电压范围为650V至2000V,导通电阻范围为10mΩ至500mΩ。
我们提供MOSFET芯片的全套解决方案,其反向直流电压范围为650V至2000V,导通电阻范围为10mΩ至500mΩ。我们以晶圆形式出货,或提供额外的切割服务。
我们提供碳化硅功率模块的全套解决方案,导通电阻范围为4mΩ至14mΩ,采用兼容的封装类型,例如SOT-227,EZ Pack,EconoDual,62mm半桥模块,混合动力驱动器(HPD),双面冷却(DSC)等。