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产品

SiC Schottky Diode.png
碳化硅肖特基二极管

我们在授权的第三代半导体代工和封装厂中提供碳化硅肖特基二极管的全套解决方案,其反向直流电压范围为650V至2000V,连续正向电流范围为4A至100A。

SiC Discrete MOSFET.png
碳化硅分立MOSFET

在我们授权的第三代半导体代工和封装厂中,提供了碳化硅MOSFET的全套解决方案,其反向直流电压范围为650V至2000V,导通电阻范围为10mΩ至500mΩ。

MOSFET Chip_edited.jpg
碳化硅MOSFET芯片

我们提供MOSFET芯片的全套解决方案,其反向直流电压范围为650V至2000V,导通电阻范围为10mΩ至500mΩ。我们以晶圆形式出货,或提供额外的切割服务。

SiC Power Module.png
碳化硅功率模块

我们提供碳化硅功率模块的全套解决方案,导通电阻范围为4mΩ至14mΩ,采用兼容的封装类型,例如SOT-227,EZ Pack,EconoDual,62mm半桥模块,混合动力驱动器(HPD),双面冷却(DSC)等。

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